產品服務

半導體

特別是在半導體工業中,高純度晶體長期以來一直發揮著至關重要的作用。
作為分離器件(如電晶體和二極管)、微電子設備(如記憶體和IC)以及微系統組件(如傳感器和轉換器)的基礎,晶體純度及其晶格結構方面須達最高標準。

我們提供以下產品:

長晶爐

柴式法

柴式長晶法

CGS(Crystal Growing Systems, CGS)原本是萊寶(Leybold Heraeus)集團中的晶體生長部門而後獨立成為一家公司,又被併入PVA TePla集團中,專門提供各式的晶體生長設備,其中一種即是 (Czochralski, CZ)柴式長晶法。該 製程的第一步驟是將高純度的多晶矽放入石英坩鍋中;接著升高爐內溫度使多晶矽熔化,當爐內的矽為液態再將一根晶種浸入矽熔湯之中。由於在浸入的那一瞬間溫 度會稍微的下降,液態的矽元素便開始沿著晶種的晶格方向生生長成單晶矽。隨著晶種緩慢的上升與旋轉,單晶的矽棒圓柱(ingot)也隨之形成。 嚴密監控的拉速/轉速和溫度是控制單晶矽棒結晶方向的主要因素,以確保晶棒晶格可以按照晶種的方向排列,並在這樣單晶晶格排列順序下維 持一定的晶棒直徑尺寸。 在半導體領域當中,採用CZ方式長出的晶圓是目前的主流,PVA TePla CGS能夠提供生產最大至18”直徑、500Kg重的單晶晶棒的設備,也是世界Tier 1晶圓生產廠商的設備供應商。 此外太陽能晶片產業有許多廠商採用柴式長晶法生長晶棒,雖然單晶矽晶片製程繁瑣,相對於多晶矽晶片製程成本也高。但由於其轉換效率高並具有未來性、已漸漸成為趨勢。

我們所生產的柴式單晶爐是為了大量生產需求所開發,其生產出來的單晶棒直徑最大可以達到230mm。
  技術參數
  1. 坩鍋直徑:最大559mm(約22吋)
  2. 晶體直徑:最大 230mm
  3. 晶體長度:最長2.8 m
  4. 填料量:最大 180 kg
  5. 爐室直徑:約 934 mm
  6. 爐室高度:約 1520 mm
  7. Gate valve diameter:304 mm
  8. Receiving chamber:桶槽式
  9. 重量:8500 kg

 技術數據
  1. 總高度:約11,500毫米
  2. 佔地面積:約15平方米
  3. 重量(拉桿):約12,000公斤
  4. 坩堝尺寸:最大32英寸
  5. 晶體直徑:高達12英寸
  6. 晶體長度:最大2500毫米
  7. 坩堝裝料尺寸:最多450公斤
  8. 容器內徑:約1,250毫米
  9. 容器高度:約2,100毫米
  10. 內部接收室直徑:450毫米
  11. 接收室長度:最大3500mm
  • 底座框架採用穩定的焊接鋼結構,為避免振動,坩堝驅動單元與底架分離

 

SC 32目標應用:半超導磁鐵,2020年原型

  技術參數
  1. 腔室直徑1250毫米,坩堝直徑最大為32英寸
  2. 充電容量達500公斤(含充電)
  3. 閘室可用長度3500毫米,喉徑450毫米
  4. 磁鐵準備內徑1600毫米*外徑2400毫米,磁舉系統容量16噸
  5. 拔輪高度9400毫米,佔地面積3400毫米*3800毫米
  6. 電纜頭容量500 公斤,含稱重傳感器
  7. 帶波紋管,鐵流體密封和獨立基座的坩堝驅動器
  8. 直流開關電源主加熱器150千瓦,底部加熱器50千瓦

此長晶爐主要設計為生長矽晶體,亦可作為鍺晶體生長使用。  
  技術參數
  1. 坩鍋直徑:最大485mm(約18吋)
  2. 晶體直徑:最大 300mm
  3. 晶體長度:最長2.5 m
  4. 填料量:最大 220 kg
  5. 爐室直徑:約 880 mm
  6. 爐室高度:約 1470 mm
  7. Gate valve diameter:360 mm
  8. Receiving chamber:開門式
  9. 重量:1000 kg

 

此系統為半導體長晶爐,本設備可依產品需求增加外部磁場設備系統。

 
  技術參數
  1. 坩鍋直徑:最大610mm(約24吋)
  2. 晶體直徑:最大 300mm
  3. 晶體長度:最長2.7 m
  4. 填料量:最大 210 kg
  5. 爐室直徑:約 940 mm
  6. 爐室高度:約 1680 mm
  7. Gate valve diameter:304 mm
  8. Receiving chamber:開門式
  9. 重量:12800 kg

CGS-Lab為設計來生長晶體直徑100mm及長度300mm的試驗室等級長晶爐。
  技術參數
  1. 坩堝直徑: 254 mm (10“)
  2. 晶體尺寸: 100 mm (4“)
  3. 晶體長度: 300 mm
  4. 填料量: 5.0 kg
  5. 腔體尺寸: 約590 mm (23“)
  6. 腔體長度: 約 1000 mm
  7. 重量(艙體部分): 約2500 kg

 

此系統為專門生長直徑較大尺寸晶體所設計的長晶爐。

 
  技術參數
  1. 坩鍋直徑:最大915mm(約36吋)
  2. 晶體直徑:最大 450mm
  3. 晶體長度:最長2.1 m
  4. 填料量:最大 450 kg
  5. 爐室直徑:約 1250 mm
  6. 爐室高度:約 2200 mm
  7. Gate valve diameter:500 mm
  8. Receiving chamber:開門式
  9. 重量:27000 kg

區熔法

 

自從五十年代末期區熔(Float Zone)技術的出現後,Haldor Topsoe就一直積極從事於Float Zone晶片的研究與生產。在發展過程中開發了許多用於Float Zone晶片生產的特殊設備。 2004年,隸屬於Haldor Topsoe的設備部門被PVA TePla集團公司所收購,如今併入Crystal Growing Systems, CGS中。Float Zone得名於其特殊的生長方式。首先將從西門子法CVD爐中用特殊製程生產的高密度Poly Rod固定在Float Zone長晶設備中,接著使用間接加熱方式將Poly Rod加熱至導體狀態,接著由感應線圈接手加熱,讓Poly Rod局部熔化,接著在底部準備一根單晶晶種,當矽湯碰觸到單晶晶種時,便會開始結晶,同時間單晶晶種會向下旋轉,以便於有足夠的空間使矽湯凝結成單晶 棒。Float Zone與CZ法最大的不同在於製程中不需要坩堝,熱場中也沒有石墨元件,因此可以將晶體氧含量及碳含量降至最低,適用於半導體高功率元件。

 

FZ-30和FZ-35是PVA TePla目前最大的區熔法長晶爐,其晶棒直徑可達8吋,高度可達2000mm。其設計使機器重心剛好在熔化區內。為了防止外部的震動,FZ-30和FZ-35還配有自動調整系統和保護系統。此外,主反應室也可 配備氣體摻雜裝置。

  技術參數
  1. 最長晶棒長度: 2,700 mm
  2. 最長原料棒長度: 2,000 mm
  3. 晶棒直徑: 最大至200 mm
  4. 拉速: 0 – 30 mm/min
  5. 轉速: 0 – 30 rpm
  6. 設備尺寸: 3,800 x 4,050 x 11,550mm
  7. 面積: 5,000 x 6,000 mm
  8. 重量: 約 14,000 Kg

 

 

SR 110 (Slim Rod Puller)是為了生產西門子法CVD反應爐裡的矽芯棒所設計,晶棒直徑大約7-10mm左右,而高度最高可至2.5公尺。

SR 110是一台非常有效率的機種,因為在一個製程裡面就可以同時生產兩根矽芯棒,相較於用CZ法製備再用band saw或wire saw切割的方式,可以避免材料耗損。除此之外,機台也經過周全的考慮所設計,因此十分容易上手,而且在生產完一組矽芯棒可以立刻生產下一組,這得力於反應室和上方的接收室有著特殊的閥門設計。根據原料棒直徑以及所需矽芯棒長度的不同,一根原料棒可以生產出12到50根的矽芯棒。

  技術參數
  1. 原料棒直徑:25-50 mm
  2. 原料棒長度:最長1000 mm
  3. 原料棒數量:2根
  4. 矽芯棒直徑:7-10 mm
  5. 矽芯棒直徑偏差:±0.1 mm
  6. 矽芯棒長度:最長2500 mm
  7. 矽芯棒數量:2根 (設備可以同時提拉2根矽芯產品)

 

FZ-14M是為了檢測需求而生。運作的原理是利用區熔法將微型的多晶矽棒轉變成單晶矽,接著放入適當的儀器以用來評估多晶矽材料的品 質和純度。在區熔法的過程中,多晶棒會被放置在充滿氬氣環境底下形成一根單晶棒。

這一根單晶棒將用分光分析法來分析其中的微量雜質,如硼、磷、鋁、砷和 碳等等。

  產品特色
  1. 所有部件無油
  2. 極低的(幾乎沒有)自然污染
  3. 部件的品質極佳
  4. 機台重量極輕(採用鋁框架 )
  5. 十分適合用於多晶矽的分析評估

定向長晶法

 

VGF Kronos是高端VGF(垂直梯度凍結)系統,用於批量生產直徑小於6英寸的低位錯化合物半導體。工作壓力範圍為10-3 mbar至40 bar,可更換的芯模塊提供了高度的應用靈活性。

  技術參數
 坩堝直徑:4“ / 6”
 圓柱坩堝高度:最高達450毫米
 晶體長度:最大350毫米
 腔體直徑:800毫米
 腔體高度:975毫米
 工作壓力:最大40巴

坩堝

 

石英坩堝

石英主要以化合物的形態存在於地表中,是其地表數量含量僅次於長石的第二多礦石元素,如氧化矽、矽酸鹽等。而石英礦物即為以氧化矽所存 在的一種型態。 石英(SiO2)本身材料具有極低的熱膨脹係數、高耐溫性、高耐磨耗性、優良的化學穩定性、電絕緣性、近紫(紅)外線可見光穿透性、高機械性質……等。 因此現今高純度石英材料被廣泛應用於電子科技、半導體、通訊、電、光源、太陽能、國防、高精密量測儀器、實驗室理化儀器、核能、奈米產業……等。

 

*我們可根據客戶需求生產客製化規格尺寸。

 

 
產品類別

 
材料純度

 

若要瞭解更多產品細節,請直接 聯繫我們。我們都十分樂意幫助您!

自動化加工設備

研磨倒角機


表面研磨機利用兩組平行研磨主軸進行加工。機台設計可手動裝載或是藉由手臂進行研磨裝載及全自動化整合連同分析系統。機器可處理尺寸範圍125mm x 125mm至156mm x 156mm 且長度介於180mm至1000mm的矽磚。
 特點
  1. 可自動切換研磨大小(125/156)
  2. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區
  3. 配有氣動式矽磚夾具
  4. 開方後的單晶矽晶棒及多晶矽磚可不需先經過切頭尾處理即可進行研磨加工
  5. 研磨盤鑽 石層消耗自動補償校正系統
  6. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據
  7. 機台產能:相當於40,000磚/年(機器產能全開不間斷的情況下;矽磚加工尺寸156x156x350 mm)
  8. 研磨時間:每顆矽磚研磨約10min/350mm
型號規格:
型號 72/860.500- 125/156 72/860.1000- 125/156
工作部件 長度 180mm-500mm 400mm-1000m


倒角研磨機適用已開方且表面研磨過後的單多晶的倒角研磨,矽磚大小為125 x 125 mm 及156 x 156 mm。機器配有一對平行研磨刀具組。長度介於180至500mm的工作部件可直接進行處理。

  特點
 1. 45°角的倒角研磨
 2. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區
 3. 配有氣動式夾具
 4. 自動偵測邊緣及研磨刀具校正
 5. 研磨盤鑽石層消耗自動補償校正系統
 6. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據
聯繫我們,我們將盡速與您聯繫並討論詳細規格。


圓角研磨機配有一系列三個研磨銑削主軸,另外為了更廣的研磨範圍而配有一組研磨刀組。裝載區可手動控制或是藉由自動控制裝置達 到全自動化。機器可處理尺寸介於 125mmx125mm至 210mmx210mm 且長度介於180mm至1000mm 的矽磚。
  特點
  1. 可研磨45°度倒角至圓角倒角
  2. 配有氣動式矽磚夾具
  3. 自動偵測邊緣及研磨刀具校正
  4. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據
  5. 切割圓盤鑽石層自動校正系統
  6. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區
型號規格:
型號 72/856.600 -156/210 72/856.600 -125/156 72/856.1000 -156/210 72/856.1000 -125/156
矽磚大小 156 mm x 156mm 210 mm x 210 mm 125mm x 125mm 156mm x 156mm 156 mm x 156mm 210 mm x 210 mm 125mm x 125mm 156mm x 156mm
工 作部件長度 180mm-600mm 180mm-600mm 450mm-1000mm 450mm-1000mm


表面研磨及倒角複合機將表面研磨及倒角一次性製成結合於一身的複合機種,適合多晶矽磚處理,可達到兩機一體功用。
 特點
  1. 可依產品需求切換研磨尺寸(125/156)
  2. 可依產品需求切換不同模式(表面研磨 + 倒角、單純性表面研磨、單純性倒角加工)
  3. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區
  4. 配有氣動式矽磚夾具
  5. 開方後的單晶矽晶棒及多晶矽磚可不需先經過切頭尾處理即可進行研磨加工
  6. 研磨盤鑽 石層消耗自動補償校正系統
  7. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據
  8. 機台產 能:相當於31,000磚/年 (機器產能全開不間斷的情況下;矽磚加工尺寸156x156x350 mm)
  9. 研磨時 間:每顆矽磚研磨約14min/350mm
型號規格:
型號 72/860.500- 125/156 72/860.1000- 125/156
工作部件 長度 180mm-500mm 400mm-1000m

該機器適用於研磨倒角4”-12’’的碳化矽晶錠。長度為600毫米,並具有直槽口和平磨。零件對中自動完成。


晶錠尺寸:

-直徑:4 – 12英寸

-長度:30毫米-600毫米


Freiberg Instruments的XRD方向測量

  • 在線檢測4”-12’’
  • 晶向(111),(100),(110)
  • 平邊/凹槽位置的測量
  • 平邊/凹槽的深度或寬度
  • 裸棒和圓磨棒的直徑測量
凹槽砂輪:
    • 1-2不同型號的砂輪

    • 凹槽粗磨和精磨

裝卸站:
    • 自動裝卸

    • 掃描晶錠識別碼

切割設備


外徑鋸截斷機適合用於單多晶磚去頭尾、分段、檢驗試片以及檢驗後回切。多晶或單晶矽最適合的切割長度為50mm至550mm,直徑介於 120mm與160mm之間,檢驗試片切削後厚度小於1.5mm。 為了符合客戶之需求,機器可裝配特殊設計的ARPAT軟體,用於採集並分析生產資訊。這些資訊可以儲存於Microsoft SQL數據庫裡,並可以輕易的使用您的電腦從世界各地監控整個生產程序。

特點
1. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區
2. 使用超薄切割片實現≤ 1,7 mm 的低材料耗損
3. 超過六個月的超長切割片使用壽命
4. 機台產能:相當於52,000片/年 (機台產能全開不間斷的情況下)


外徑鋸截斷機適合單晶矽棒切割,能切割長度1200mm至3000mm,直徑尺寸最大範圍230mm,分段長度200mm至 1020mm。

 特點
  1. 全自動化裝載、定位和切割頭尾及檢驗試片
  2. 使用超薄切割鋸片及利用液壓進行切割以實現kerf loss ≤1.3mm
  3. 小於1.3mm 的 kerf loss及較長的鋸片壽命  (約12000至15000cuts)
  4. 可處理不同大小的多晶矽磚  (125 x 125, 156 x 156, 210 x 210mm)
  5. 較低的加工成本


72/375 帶鋸機適合用於切割長寬為210mm x 210mm 的單多晶矽磚,長度介於100mm至500mm最為適當。最小的切割長度可達10mm。

 特點
 1. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區
 2. 配有氣動式夾具
 3. 少於1.3mm的材料耗損
 4. 快速的設定時間
 5. 低工具成本
 6. 較長的鋸條壽命 (156x156mm 約 850cuts;125x125mm約 1300cuts)
 7. 可以處理不同大小的多晶矽磚 (125x125,156x156,210x210mm)

   

 特點
  1. 使用8550mm長,寬40mm鑽石鋸帶進行切割
  2. 可切割晶棒長度700~4000mm
  3. 分段長度70mm~400mm
  4. 支援4~12inch直徑晶棒
  5. 檢驗片厚度1~3mm
  6. 可以單一切割
  7. 只需操作設定一次,即可自動完成整支晶棒切割 (切頭尾、檢驗片、分段)

氬氣回收系統

為了省下在生產單晶矽棒過程中所耗費的大量氬氣氣體,ReiCat設計並生產了一整套的系統使珍貴的技術性氣體可以得到最有效的應用, 讓您不用再為氬氣花上大把的金錢。

優點
  1. 氬氣的消耗量可降低至少80%
  2. 利用遠端操控以進行全自動操作
  3. 成本回收期短
  4. 氣體純度品質保證高於99.999%
  5. 永續性的環境保護
  6. 三種不同的製程處理能力:100m3/hr, 200m3/hr, 400m3/hr
  7. 尚有其他不同技術氣體回收系統
聯繫我們,我們將盡速與您聯繫並討論詳細規格。

水質檢測儀器


在我們的特有的玻璃吹制和機械工程部門,我們可以生產應用範圍廣泛的檢測計,例如測量pH值、氧化還原電位、電導率和溫度等等。我們的 檢測計可以是玻璃或塑料設計,以供客戶選擇。

憑藉著卓越的技術,每一支檢測計都是由我們親手製作而成。除了一般已被認可的標準產品外,我們也經常提供合乎您需求的客製化產品。為了提供最好的服務結果,我們會與我們的客戶合作打造並挑選出最合適的材料以製作成品。 特殊的檢測計電纜、特殊的插件和螺旋是連接裝置、不同類型的溢位指示計和配備以及其他的配件都是涵蓋在我們現在檢測計可提供的產品範圍裡。 若要瞭解更多產品細節,請直接 聯繫我們。我們都十分樂意幫助您!

閥門、致動器及其他配件


由於製程技術以及在此當中所使用到的處理媒介的多樣性,我們的產品也反映出此種特性並延伸出了更多樣化、可以用在各式廠房建設的產品。 在此展現出的產品只是我們系列產品中所挑選出一些較具代表性的產品。這一系列的產品包含了氣動/電動致動器、定位器、限動開關盒、壓力助推器或是減速器以 及電磁閥等。 產品可能是以系列產品方式呈現,也有可能是獨立的產品,皆可與手動或是自動閥門做搭配。甚至可以依照客戶的特殊需求做整合,以提供最佳 解決方案。我們也可以提供客戶諮詢及配置的建議,更可以提供客戶專業的教育訓練及支援服務。 以下為我們的產品簡介:

閥門(Valves)


工業用閥門在製程技術中被作為「控制點」來使用。除了基本的開與關之外,也可以用來控制用量或是流向,以控制整個製程的方向。溫度、環 境和使用的介質都會影響到閥門的選擇。如果選擇了正確的閥門,則配上氣動/電動致動器將會使整個自動化過程更加圓滿。自動化的好處在於可更精準控制製程也 更加安全。

致動器 (Actuators)


氣動及電動致動器(actuator)通常是用在工廠建設時的開關設備。幾乎所有的配有管線的工廠都可以發現它們的蹤跡。這些包含了化 學工廠、食品工廠、製紙業或是水/廢水處理工廠等。我們的產品經過數十年來的考驗,已經證明其價值。關於特殊的應用部分,我們也可以提供不銹鋼或是鍍上特 殊鍍膜的系列產品。

電動致動器 (Electric actuator)


電動致動器系列服務程面更廣,可搭配PLC、網路、藍芽、無線網路等,並可支援行動手機或平板操作。

其中DV系列通過DNVGL挪威船級社認證,適用於船舶、艦艇、離岸風場等,2020年獲得法國海軍拖船供應合約。


其他配件(Accessories)


這是涵蓋範圍最廣泛的一類,使客製化的配置圖和控制自動化閥門設計更加完備。用在閥門上的驅動致動器有定位器、限動開關盒以及齒輪箱的 接口,更配有額外的電磁閥和壓力助推器接口。節流閥和消音器對於機台操作穩定和安全性也很有幫助。
我們十分樂意傾聽並與您討論以尋求最佳的解決辦法。 歡迎您 聯繫我們,或是先參閱我們的 產品資訊手冊

裸 線


切割鋼絲是一種具有高強度、高硬度和高耐磨性特徵的精細高碳鋼絲。它是超硬晶體材料目前主要的加工方式多線切割的載體,可用於切割多晶矽、砷化鎵、磷化銦、碳化矽、水晶等貴重晶體。

    產品優勢
    1. 減少切割原料損耗
    2. 效率高、產能高、精度高
    3. 降低綜合加工成本


金剛線是採用金屬或者樹脂為結合劑將高品質金剛石磨粒牢固地結合在高強鋼絲上所形成的一種切割線,根據生產工藝分為樹脂線(RW)、電鍍線(EW)、金剛繩(DC)。尤其適用於大尺寸、高硬度、脆性材料切削加工,如單晶/多晶矽、藍寶石、碳化矽、水晶等貴重晶體,與游離磨料切割鋼絲相比,具有降低綜合加工成本、提高效率、提升加工品質、降低環境影響等優點。

    產品優勢
    1. 大幅縮短切割時間,可用於超高硬度、高脆性晶體材料切削加工
    2. 省掉砂漿的使用,簡化廢棄物處理工藝,更環保
    3. 改善切片厚薄均勻度
    4. 降低綜合加工成本

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