半導體
特別是在半導體工業中，高純度晶體長期以來一直發揮著至關重要的作用。
作為分離器件（如電晶體和二極管）、微電子設備（如記憶體和IC）以及微系統組件（如傳感器和轉換器）的基礎，晶體純度及其晶格結構方面須達最高標準。
我們提供以下產品：
晶圓檢測設備
TWS206用於測量晶圓的BOW/WARP/TTV/LTV/Thickness，本設備可同時進行
晶圓自動化分選(全自動版)，可根據需求定製成手動上片自動掃描(半自動版)；
可以對接廠務 MES系統，進行數據上傳。系統採用上下同軸色散共焦傳感器，
支援大部分透明或非透明材質的晶圓；可對應 表面粗糙材質，因此可用於
工藝流程中的切割、研磨、拋光、減薄等各環節。
- BOW
- WARP
- TTV/LTV
- Thickness
- Wafer Sorting
- Support 4，6，8，12寸晶圓
LFMSiC系列專門用於檢測SiC襯底片的瑕疵檢測儀，本設備為
半自動桌面型(手動上片自動掃描)，可根據需求配套機械臂和
上下料片庫，定制全自動設備；可以對接廠務 MES系統，進行
數據上傳。系統採用精密光學顯像系統，結合獨有的算法，對
瑕疵進行檢測及歸類，提升了您對產品瑕疵的檢測效率。
I型 (針對SiC腐蝕片)
- TED/TSD/BPD錯位標定並統計
- 查看Map圖，支援review原始圖片
- 一鍵式測量，簡單易用
- 支援檢測4，6，8寸晶圓
II型 (針對SiC拋光片)
- 微管標定統計
- 查看Map圖，支援review原始圖片
- 定性應力圖
- 一鍵式測量，簡單易用
- 支援檢測 4，6，8寸晶圓
一鍵完成量測多個倒角形貌指標，本設備為
半自動桌面型(手動上片自動掃描)，可根據
需求配套機械臂和上下料片庫，定制全自動
設備；可以對接廠務 MES系統，進行數據上傳。
- 晶圓直徑：D
- 晶圓厚度：T
- 倒角形貌：X，Y，R，A
- 平邊，缺口測量
- 一鍵式測量，簡單易用
- 支援檢測 4，6，8寸晶圓
應力儀用於檢測晶圓內的應力分布，以光程差輸出應力定量分析，本設備
為半自動桌面型(手動上片自動掃描)，可根據需求配套機械臂和上下料片庫
，定制全自動設備；可以對接廠務 MES系統，進行數據上傳。系統採用光學
相位差的變化，通過起偏器和驗偏器，將相位差轉換成視覺上看到的亮度變化。
- 應力圖快速成像(每片wafer<10s)
- 一鍵式測量，簡單易用
- 支援檢測 4，6，8寸晶圓
半導體材料電性檢測設備
晶圓級材料電學特性表徵，針對半導體材料(Si, SiC, GaN, Ga2O3, Diamond )及介電層的關鍵電性參數檢測，透過電容─電壓法，可精準測量載子濃度/電阻率、介電常數、擊穿電壓、漏電流核心指標。
半自動共面汞探針CV測試平台，可加載CV及IV功能，適用於200 mm及以下絕緣基板或有PN結的磊晶結構測試。
50/100/150/200 mm 直徑的樣品測試
- 手動上下片
- 自動測試
- RF磊晶測試
- 同質磊晶測試
- PN結磊晶測試
- 即時數據監控
- 數據SECS/數據GEM
- 汞蒸氣過濾
半自動汞探針CV測試平台，可加載CV及IV功能，適用於200 mm及以下標準樣品及不規則樣品，可測Si/ SiC/ GaN/ Ga2O3等磊晶材料及各種介質材料。
50/100/150/200 mm 直徑的樣品測試
- 手動上下片
- 自動測試
- 自動換汞
- 即時數據監控
- 數據SECS/數據GEM
- 汞蒸汽過濾
全自動汞探針CV測試平台，可加載CV及IV功能，適用於150/ 200 mm標準樣品，適用於磊晶及元件量產等級之檢測，可接入MES系統，可配置OHT系統，滿足用用戶的自動化需求。
150/200 mm 樣品測試
- 標準半導體EFEM系統
- 雙機械手臂
- 雙open cassette
- SMIF load port
- 預對準
- OHT
- 即時汞漏監控
- 全自動監控
- 校準功能
- 光學水平校正
- 即時數據監控
- 分選功能
- 數劇SECS/ 數據GEM
- 汞蒸汽過濾
半自動汞探針CV測試平台，可加載CV及IV功能，適用於300 mm標準樣品，可測試Si磊晶材料及各種介質材料。
300 mm 樣品測試
- 手動上下片
- 自動測試
- 自動換汞
- 即時數據監控
- 數劇SECS/ 數據GEM
- 汞蒸汽過濾
全自動汞探針CV測試平台，可加載CV及IV功能，適用於300 mm標準樣品，適用於磊晶及元件量產等級之檢測，可接入MES系統，可配置OHT系統，滿足用用戶的自動化需求。
300 mm 樣品測試
- 標準半導體EFEM系統
- 雙機械手臂
- 雙FOUP load port
- 預對準
- OHT
- 即時汞漏監控
- 全自動監控
- 校準功能
- 光學水平校正
- 即時數據監控
- 分選功能
- 數劇SECS/ 數據GEM
- 汞蒸汽過濾
功能比較 | Coplane-200 | MCV-200 | MCV-200R | MCV-300 | MCV-300R |
樣品直徑 (mm) | 50/100/150/200 | 50/100/150/200 | 150/200 | 300 | 300 |
半自動 | ✓ | ✓ |
| ✓ |
|
手動上下料 | ✓ | ✓ |
| ✓ |
|
全自動 |
|
| ✓ |
| ✓ |
SMIF load port |
|
| ✓ |
| ✓ |
搭配MES、OHT |
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| ✓ |
| ✓ |
CV+IV | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
自動測試 | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
即時數據監控 | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
數據SECS | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
數據GEM | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
汞蒸汽過濾 | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
自動換汞探頭 |
| ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
標準半導體EFFM |
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| ✓ |
| ✓ |
兼容MES系統 |
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| ✓ |
| ✓ |
兼容OHT系統 |
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| ✓ |
| ✓ |
即時汞漏監測 |
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| ✓ |
| ✓ |
光學水平校正 |
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| ✓ |
| ✓ |
分選功能 |
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| ✓ |
| ✓ |
校準功能 |
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| ✓ |
| ✓ |
全自動監控 |
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| ✓ |
| ✓ |
長晶爐
柴式法
柴式長晶法
| 技術數據 |
| 1. 總高度：約11,500毫米 |
| 2. 佔地面積：約15平方米 |
| 3. 重量（拉桿）：約12,000公斤 |
| 4. 坩堝尺寸：最大32英寸 |
| 5. 晶體直徑：高達12英寸 |
| 6. 晶體長度：最大2500毫米 |
| 7. 坩堝裝料尺寸：最多450公斤 |
| 8. 容器內徑：約1,250毫米 |
| 9. 容器高度：約2,100毫米 |
| 10. 內部接收室直徑：450毫米 |
| 11. 接收室長度：最大3500mm |
- 底座框架採用穩定的焊接鋼結構，為避免振動，坩堝驅動單元與底架分離
此系統為專門生長直徑較大尺寸晶體所設計的長晶爐。
| 技術參數 |
| 1. 坩鍋直徑：最大915mm(約36吋) |
| 2. 晶體直徑：最大 450mm |
| 3. 晶體長度：最長2.1 m |
| 4. 填料量：最大 450 kg |
| 5. 爐室直徑：約 1250 mm |
| 6. 爐室高度：約 2200 mm |
| 7. Gate valve diameter：500 mm |
| 8. Receiving chamber：開門式 |
| 9. 重量：27000 kg |
區熔法
自從五十年代末期區熔(Float Zone)技術的出現後，Haldor Topsoe就一直積極從事於Float Zone晶片的研究與生產。在發展過程中開發了許多用於Float Zone晶片生產的特殊設備。 2004年，隸屬於Haldor Topsoe的設備部門被PVA TePla集團公司所收購，如今併入Crystal Growing Systems, CGS中。Float Zone得名於其特殊的生長方式。首先將從西門子法CVD爐中用特殊製程生產的高密度Poly Rod固定在Float Zone長晶設備中，接著使用間接加熱方式將Poly Rod加熱至導體狀態，接著由感應線圈接手加熱，讓Poly Rod局部熔化，接著在底部準備一根單晶晶種，當矽湯碰觸到單晶晶種時，便會開始結晶，同時間單晶晶種會向下旋轉，以便於有足夠的空間使矽湯凝結成單晶 棒。Float Zone與CZ法最大的不同在於製程中不需要坩堝，熱場中也沒有石墨元件，因此可以將晶體氧含量及碳含量降至最低，適用於半導體高功率元件。
FZ-30和FZ-35是PVA TePla目前最大的區熔法長晶爐，其晶棒直徑可達8吋，高度可達2000mm。其設計使機器重心剛好在熔化區內。為了防止外部的震動，FZ-30和FZ-35還配有自動調整系統和保護系統。此外，主反應室也可 配備氣體摻雜裝置。
| 技術參數 |
| 1. 最長晶棒長度: 2,700 mm |
| 2. 最長原料棒長度: 2,000 mm |
| 3. 晶棒直徑: 最大至200 mm |
| 4. 拉速: 0 – 30 mm/min |
| 5. 轉速: 0 – 30 rpm |
| 6. 設備尺寸: 3,800 x 4,050 x 11,550mm |
| 7. 面積: 5,000 x 6,000 mm |
| 8. 重量: 約 14,000 Kg |
SR 110 (Slim Rod Puller)是為了生產西門子法CVD反應爐裡的矽芯棒所設計，晶棒直徑大約7-10mm左右，而高度最高可至2.5公尺。
SR 110是一台非常有效率的機種，因為在一個製程裡面就可以同時生產兩根矽芯棒，相較於用CZ法製備再用band saw或wire saw切割的方式，可以避免材料耗損。除此之外，機台也經過周全的考慮所設計，因此十分容易上手，而且在生產完一組矽芯棒可以立刻生產下一組，這得力於反應室和上方的接收室有著特殊的閥門設計。根據原料棒直徑以及所需矽芯棒長度的不同，一根原料棒可以生產出12到50根的矽芯棒。
| 技術參數 |
| 1. 原料棒直徑：25－50 mm |
| 2. 原料棒長度：最長1000 mm |
| 3. 原料棒數量：2根 |
| 4. 矽芯棒直徑：7－10 mm |
| 5. 矽芯棒直徑偏差：±0.1 mm |
| 6. 矽芯棒長度：最長2500 mm |
| 7. 矽芯棒數量：2根 (設備可以同時提拉2根矽芯產品) |
FZ-14M是為了檢測需求而生。運作的原理是利用區熔法將微型的多晶矽棒轉變成單晶矽，接著放入適當的儀器以用來評估多晶矽材料的品 質和純度。在區熔法的過程中，多晶棒會被放置在充滿氬氣環境底下形成一根單晶棒。
這一根單晶棒將用分光分析法來分析其中的微量雜質，如硼、磷、鋁、砷和 碳等等。
| 產品特色 |
| 1. 所有部件無油 |
| 2. 極低的（幾乎沒有）自然污染 |
| 3. 部件的品質極佳 |
| 4. 機台重量極輕（採用鋁框架 ) |
| 5. 十分適合用於多晶矽的分析評估 |
定向長晶法
VGF Kronos是高端VGF（垂直梯度凍結）系統，用於批量生產直徑小於6英寸的低位錯化合物半導體。工作壓力範圍為10-3 mbar至40 bar，可更換的芯模塊提供了高度的應用靈活性。
| 技術參數 |
| 坩堝直徑：4“ / 6” |
| 圓柱坩堝高度：最高達450毫米 |
| 晶體長度：最大350毫米 |
| 腔體直徑：800毫米 |
| 腔體高度：975毫米 |
| 工作壓力：最大40巴 |
坩堝
石英坩堝
石英主要以化合物的形態存在於地表中，是其地表數量含量僅次於長石的第二多礦石元素，如氧化矽、矽酸鹽等。而石英礦物即為以氧化矽所存 在的一種型態。 石英(SiO2)本身材料具有極低的熱膨脹係數、高耐溫性、高耐磨耗性、優良的化學穩定性、電絕緣性、近紫(紅)外線可見光穿透性、高機械性質……等。 因此現今高純度石英材料被廣泛應用於電子科技、半導體、通訊、電、光源、太陽能、國防、高精密量測儀器、實驗室理化儀器、核能、奈米產業……等。
*我們可根據客戶需求生產客製化規格尺寸。
產品類別
材料純度
若要瞭解更多產品細節，請直接 聯繫我們。我們都十分樂意幫助您！
自動化加工設備
研磨倒角機
表面研磨機利用兩組平行研磨主軸進行加工。機台設計可手動裝載或是藉由手臂進行研磨裝載及全自動化整合連同分析系統。機器可處理尺寸範圍125mm x 125mm至156mm x 156mm 且長度介於180mm至1000mm的矽磚。
| 特點 |
| 1. 可自動切換研磨大小(125/156) |
| 2. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區 |
| 3. 配有氣動式矽磚夾具 |
| 4. 開方後的單晶矽晶棒及多晶矽磚可不需先經過切頭尾處理即可進行研磨加工 |
| 5. 研磨盤鑽 石層消耗自動補償校正系統 |
| 6. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據 |
| 7. 機台產能：相當於40,000磚/年(機器產能全開不間斷的情況下；矽磚加工尺寸156x156x350 mm) |
| 8. 研磨時間：每顆矽磚研磨約10min/350mm |
| 型號 | 72/860.500- 125/156 | 72/860.1000- 125/156 |
| 工作部件 長度 | 180mm-500mm | 400mm-1000m |
倒角研磨機適用已開方且表面研磨過後的單多晶的倒角研磨，矽磚大小為125 x 125 mm 及156 x 156 mm。機器配有一對平行研磨刀具組。長度介於180至500mm的工作部件可直接進行處理。
| 特點 |
| 1. 45°角的倒角研磨 |
| 2. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區 |
| 3. 配有氣動式夾具 |
| 4. 自動偵測邊緣及研磨刀具校正 |
| 5. 研磨盤鑽石層消耗自動補償校正系統 |
| 6. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據 |
圓角研磨機配有一系列三個研磨銑削主軸，另外為了更廣的研磨範圍而配有一組研磨刀組。裝載區可手動控制或是藉由自動控制裝置達 到全自動化。機器可處理尺寸介於 125mmx125mm至 210mmx210mm 且長度介於180mm至1000mm 的矽磚。
| 特點 |
| 1. 可研磨45°度倒角至圓角倒角 |
| 2. 配有氣動式矽磚夾具 |
| 3. 自動偵測邊緣及研磨刀具校正 |
| 4. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據 |
| 5. 切割圓盤鑽石層自動校正系統 |
| 6. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區 |
| 型號 | 72/856.600 -156/210 | 72/856.600 -125/156 | 72/856.1000 -156/210 | 72/856.1000 -125/156 |
| 矽磚大小 | 156 mm x 156mm 210 mm x 210 mm | 125mm x 125mm 156mm x 156mm | 156 mm x 156mm 210 mm x 210 mm | 125mm x 125mm 156mm x 156mm |
| 工 作部件長度 | 180mm-600mm | 180mm-600mm | 450mm-1000mm | 450mm-1000mm |
表面研磨及倒角複合機將表面研磨及倒角一次性製成結合於一身的複合機種，適合多晶矽磚處理，可達到兩機一體功用。
| 特點 |
| 1. 可依產品需求切換研磨尺寸(125/156) |
| 2. 可依產品需求切換不同模式(表面研磨 + 倒角、單純性表面研磨、單純性倒角加工) |
| 3. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區 |
| 4. 配有氣動式矽磚夾具 |
| 5. 開方後的單晶矽晶棒及多晶矽磚可不需先經過切頭尾處理即可進行研磨加工 |
| 6. 研磨盤鑽 石層消耗自動補償校正系統 |
| 7. 研磨後立即偵測並評估工作部件的品質數據 |
| 8. 機台產 能：相當於31,000磚/年 (機器產能全開不間斷的情況下；矽磚加工尺寸156x156x350 mm) |
| 9. 研磨時 間：每顆矽磚研磨約14min/350mm |
| 型號 | 72/860.500- 125/156 | 72/860.1000- 125/156 |
| 工作部件 長度 | 180mm-500mm | 400mm-1000m |
該機器適用於研磨倒角4”-12’’的碳化矽晶錠。長度為600毫米，並具有直槽口和平磨。零件對中自動完成。
晶錠尺寸：
-直徑：4 – 12英寸
-長度：30毫米-600毫米
Freiberg Instruments的XRD方向測量
- 在線檢測4”-12’’
- 晶向（111），（100），（110）
- 平邊/凹槽位置的測量
- 平邊/凹槽的深度或寬度
- 裸棒和圓磨棒的直徑測量
凹槽砂輪：
-
-
1-2不同型號的砂輪
-
-
-
凹槽粗磨和精磨
-
裝卸站：
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自動裝卸
-
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掃描晶錠識別碼
-
切割設備
外徑鋸截斷機適合用於單多晶磚去頭尾、分段、檢驗試片以及檢驗後回切。多晶或單晶矽最適合的切割長度為50mm至550mm，直徑介於 120mm與160mm之間，檢驗試片切削後厚度小於1.5mm。
為了符合客戶之需求，機器可裝配特殊設計的ARPAT軟體，用於採集並分析生產資訊。這些資訊可以儲存於Microsoft SQL數據庫裡，並可以輕易的使用您的電腦從世界各地監控整個生產程序。
| 特點 |
| 1. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區 |
| 2. 使用超薄切割片實現≤ 1,7 mm 的低材料耗損 |
| 3. 超過六個月的超長切割片使用壽命 |
| 4. 機台產能：相當於52,000片／年 （機台產能全開不間斷的情況下） |
外徑鋸截斷機適合單晶矽棒切割，能切割長度1200mm至3000mm，直徑尺寸最大範圍230mm，分段長度200mm至 1020mm。
| 特點 |
| 1. 全自動化裝載、定位和切割頭尾及檢驗試片 |
| 2. 使用超薄切割鋸片及利用液壓進行切割以實現kerf loss ≤1.3mm |
| 3. 小於1.3mm 的 kerf loss及較長的鋸片壽命 (約12000至15000cuts) |
| 4. 可處理不同大小的多晶矽磚 (125 x 125, 156 x 156, 210 x 210mm) |
| 5. 較低的加工成本 |
72/375 帶鋸機適合用於切割長寬為210mm x 210mm 的單多晶矽磚，長度介於100mm至500mm最為適當。最小的切割長度可達10mm。
| 特點 |
| 1. 配有一個手動裝載區及一個全自動裝載區 |
| 2. 配有氣動式夾具 |
| 3. 少於1.3mm的材料耗損 |
| 4. 快速的設定時間 |
| 5. 低工具成本 |
| 6. 較長的鋸條壽命 (156x156mm 約 850cuts；125x125mm約 1300cuts) |
| 7. 可以處理不同大小的多晶矽磚 (125×125,156×156,210x210mm) |
| 特點 |
| 1. 使用8550mm長，寬40mm鑽石鋸帶進行切割 |
| 2. 可切割晶棒長度700~4000mm |
| 3. 分段長度70mm~400mm |
| 4. 支援4~12inch直徑晶棒 |
| 5. 檢驗片厚度1~3mm |
| 6. 可以單一切割 |
| 7. 只需操作設定一次，即可自動完成整支晶棒切割 (切頭尾、檢驗片、分段) |
氬氣回收系統
為了省下在生產單晶矽棒過程中所耗費的大量氬氣氣體，ReiCat設計並生產了一整套的系統使珍貴的技術性氣體可以得到最有效的應用， 讓您不用再為氬氣花上大把的金錢。
| 優點 |
| 1. 氬氣的消耗量可降低至少80% |
| 2. 利用遠端操控以進行全自動操作 |
| 3. 成本回收期短 |
| 4. 氣體純度品質保證高於99.999% |
| 5. 永續性的環境保護 |
| 6. 三種不同的製程處理能力：100m3/hr, 200m3/hr, 400m3/hr |
| 7. 尚有其他不同技術氣體回收系統 |
水質檢測儀器
在我們的特有的玻璃吹制和機械工程部門，我們可以生產應用範圍廣泛的檢測計，例如測量pH值、氧化還原電位、電導率和溫度等等。我們的 檢測計可以是玻璃或塑料設計，以供客戶選擇。
憑藉著卓越的技術，每一支檢測計都是由我們親手製作而成。除了一般已被認可的標準產品外，我們也經常提供合乎您需求的客製化產品。為了提供最好的服務結果，我們會與我們的客戶合作打造並挑選出最合適的材料以製作成品。 特殊的檢測計電纜、特殊的插件和螺旋是連接裝置、不同類型的溢位指示計和配備以及其他的配件都是涵蓋在我們現在檢測計可提供的產品範圍裡。 若要瞭解更多產品細節，請直接 聯繫我們。我們都十分樂意幫助您！閥門、致動器及其他配件
由於製程技術以及在此當中所使用到的處理媒介的多樣性，我們的產品也反映出此種特性並延伸出了更多樣化、可以用在各式廠房建設的產品。 在此展現出的產品只是我們系列產品中所挑選出一些較具代表性的產品。這一系列的產品包含了氣動/電動致動器、定位器、限動開關盒、壓力助推器或是減速器以 及電磁閥等。
產品可能是以系列產品方式呈現，也有可能是獨立的產品，皆可與手動或是自動閥門做搭配。甚至可以依照客戶的特殊需求做整合，以提供最佳 解決方案。我們也可以提供客戶諮詢及配置的建議，更可以提供客戶專業的教育訓練及支援服務。
以下為我們的產品簡介：
閥門(Valves)
工業用閥門在製程技術中被作為「控制點」來使用。除了基本的開與關之外，也可以用來控制用量或是流向，以控制整個製程的方向。溫度、環 境和使用的介質都會影響到閥門的選擇。如果選擇了正確的閥門，則配上氣動/電動致動器將會使整個自動化過程更加圓滿。自動化的好處在於可更精準控制製程也 更加安全。
致動器 (Actuators)
氣動及電動致動器(actuator)通常是用在工廠建設時的開關設備。幾乎所有的配有管線的工廠都可以發現它們的蹤跡。這些包含了化 學工廠、食品工廠、製紙業或是水/廢水處理工廠等。我們的產品經過數十年來的考驗，已經證明其價值。關於特殊的應用部分，我們也可以提供不銹鋼或是鍍上特 殊鍍膜的系列產品。
電動致動器 (Electric actuator)
電動致動器系列服務程面更廣，可搭配PLC、網路、藍芽、無線網路等，並可支援行動手機或平板操作。
其中DV系列通過DNVGL挪威船級社認證，適用於船舶、艦艇、離岸風場等，2020年獲得法國海軍拖船供應合約。
其他配件(Accessories)
這是涵蓋範圍最廣泛的一類，使客製化的配置圖和控制自動化閥門設計更加完備。用在閥門上的驅動致動器有定位器、限動開關盒以及齒輪箱的 接口，更配有額外的電磁閥和壓力助推器接口。節流閥和消音器對於機台操作穩定和安全性也很有幫助。
我們十分樂意傾聽並與您討論以尋求最佳的解決辦法。 歡迎您 聯繫我們，或是先參閱我們的 產品資訊手冊。
裸線
切割鋼絲是一種具有高強度、高硬度和高耐磨性特徵的精細高碳鋼絲。它是超硬晶體材料目前主要的加工方式多線切割的載體，可用於切割多晶矽、砷化鎵、磷化銦、碳化矽、水晶等貴重晶體。
| 產品優勢 |
| 1. 減少切割原料損耗 |
| 2. 效率高、產能高、精度高 |
| 3. 降低綜合加工成本 |
金剛線是採用金屬或者樹脂為結合劑將高品質金剛石磨粒牢固地結合在高強鋼絲上所形成的一種切割線，根據生產工藝分為樹脂線（RW)、電鍍線（EW)、金剛繩（DC)。尤其適用於大尺寸、高硬度、脆性材料切削加工，如單晶/多晶矽、藍寶石、碳化矽、水晶等貴重晶體，與游離磨料切割鋼絲相比，具有降低綜合加工成本、提高效率、提升加工品質、降低環境影響等優點。
| 產品優勢 |
| 1. 大幅縮短切割時間，可用於超高硬度、高脆性晶體材料切削加工 |
| 2. 省掉砂漿的使用，簡化廢棄物處理工藝，更環保 |
| 3. 改善切片厚薄均勻度 |
| 4. 降低綜合加工成本 |
等靜壓石墨材料
產品特點 |
1.大尺寸 |
2. 高純度 |
3. 高均勻性 |
請 聯繫我們，我們將盡速與您聯繫並討論詳細規格。
客製化石墨產品和零件
高純度熱場材料在矽半導體單晶生產中起著至關重要的作用。我們可以生産36英寸或更大規格的大尺寸熱場材料，石墨雜質含量小於5 ppm。根據工藝要求，產品可以塗覆PyC或SiC塗層。我們的產品具有卓越的品質，符合集成電路行業用戶的高標準要求。
我們的石墨部件具有優異的導熱性、高強度和良好的耐腐蝕性，廣泛應用於SiC半導體晶體生長環節，包括籽晶托、坩堝、加熱器等。產品良好的一致性和穩定性為用戶不斷提高生產良率。
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基於優異的強度、低雜質含量和抗離子束腐蝕性，我們的石墨產品被廣泛應用於離子注入和電漿蝕刻設備中。包括電極、縫板、擋板、防護板等。我們不僅可以向終端用戶提供高精密度的石墨零部件，以及需要特殊塗層的產品；同時也可以向零件製造商穩定提供細顆粒的石墨材料。
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基於優異的熱導率、各向同性度、純度及加工精度，我們的石墨部件和保溫材料被廣泛應用於半導體磊晶設備中，包括LPCVD、MOCVD、VPE等工藝。我們可以製造尺寸超過32英寸的石墨基座、加熱器、托盤、氣流分布器等部件。根據工藝要求，産品可以塗覆PyC、TaC或SiC塗層。我們具備「產品設計-材料製造-精密加工-塗層及後處理」的完整能力，使之和用戶以更緊密的配合提升磊晶工藝良率。
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其他石墨產品
- 氣孔分布均勻，性能穩定，綜合性能優異
- 純度可達到5ppm級別，滿足高純應用領域對材料純度的需求
- 強度高，可加工性強
- 主要應用於SiC半導體長晶等高溫領域
產品規格/編號 Product Number | P401 | |
體積密度 Bulk Density | g/cm³ | 1.17 |
抗折強度 Flexural Strength | MPa | 8.2 |
抗壓強度 Compressive Strength | MPa | 16 |
電阻率 Electrical Resistivity | μΩ.m | 40 |
氣孔率 Porossity | % | 47 |
平均孔徑 Average Pore Size | μm | 40 |
純度 Purity | ppm | ≤5 |
外觀尺寸 Size | mm | D190-D300 * 300-380 |
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- 能夠黏接石墨、炭素、炭纖維製品等
- 在空氣環境下，使用溫度可到350℃，在惰性氣體或者真空環境下，可到3000℃
- 在常溫、高溫下具備高粘接力
- 具有良好導電性，可作爲導電膠使用
- 可以作為炭基材料間隙或孔洞的填縫劑使用
產品規格/編號 Product Number | P401 | |
體積密度 Bulk Density | g/cm³ | 1.17 |
抗折強度 Flexural Strength | MPa | 8.2 |
抗壓強度 Compressive Strength | MPa | 16 |
電阻率 Electrical Resistivity | μΩ.m | 40 |
氣孔率 Porossity | % | 47 |
平均孔徑 Average Pore Size | μm | 40 |
純度 Purity | ppm | ≤5 |
外觀尺寸 Size | mm | D190-D300 * 300-380 |
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- 高純度，灰分<20 ppm
- 碳含量>99.99%，低揮發物釋放量
- 產品表面平整，厚度一致，保溫性能穩定
- 低熱導率、高保溫性能
- 不扎手、不易粉化
產品規格/編號 Product Number | PAN基軟氈 PAN Based Felt SG-10 | 黏膠基軟氈 Rayon Based Felt SG-12 | |
含碳量 Carbon Content | % | ＞99.99% | ＞99.99% |
厚度 Thickness | mm | 10 | 10 |
寬度 Width | mm | 1200/1400 | 1200/1400 |
密度 Density | g/cm3 | 0.12 | 0.1 |
灰分 Ash Content | ppm | ≤20 | ≤20 |
抗拉强度 Flexural Strength | MPa | ＞0.2 | ＞0.15 |
導熱係數 Thermal Conductivity | W/m·K | ＜0.2(1000℃) | ＜0.17(1000℃） |
處理溫度 Treatment Temperature | ℃ | ＞2400 | ＞2400 |
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產品規格/編號 Product Number | CPN29N5 | CPN50N5 | |
純度 Purity | ppm | ≤5 | ≤5 |
粒徑分布 D50 | μm | 10-35 | 40-60 |
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石墨產品 增值服務
- 耐高溫腐蝕、耐磨損
- 可製造較大尺寸
- 高純度 5 ppm
塗層特性 Performance | 規格 Specification | |
體積密度 Bulk Density | g/cm3 | 14.3 |
熱膨脹率 CTE | 10-6/k | 6.3 |
電阻率 Electrical Resistivity | Ω·cm | 1×10-5 |
硬度 Hardness | HK | 1800 |
熱導率 Thermal Conductivity | W/m·K | 22 |
放射率 Emissivity | – | 0.3 |
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- 耐高溫腐蝕、耐磨損
- 密度 2.24 g/cm³
- 六方晶體結構
- 高純度 5 ppm
塗層特性 Performance | 規格 Specification | |
晶體結構 Crystal Structure | – | 六方 Hexagonal |
排列方向 Alignment | – | 0001定向到非定向 |
體積密度 Bulk Density | g/cm3 | ~2.24 |
顯微結構 Mirostructure | – | 多晶/多層石墨烯 Polycrystalline/Multilayer graphene |
硬度 Hardness | GPa | 1.1 |
彈性模量 Elastic Modulus | GPa | 10 |
膜厚 Typical Thickness | μm | 30-100 |
表面粗糙度 Surface Roughness | μm | 1.5 |
純度 Purity | ppm | ≤5 |
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